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J-GLOBAL ID：200903002568181601

半導体の結晶成長方法、半導体の不純物ドーピング方法およびその装置ならびに半導体材料

Inventor： 岩井 荘八 ,  平山 秀樹 ,  青柳 克信
Applicant, Patent owner： 独立行政法人理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003016940
Publication number (International publication number)：2004228455
Application date： Jan. 27, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】結晶の品質を向上させて、結晶の品質を向上させたAlの組成比の高いAlGaNなどを作成することができるようにした半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】半導体の結晶成長を行う際に、複数種類の結晶原料を交互にパルス状に供給して結晶成長を行うものであり、AlGaNの結晶成長を行う場合には、結晶原料としてAlならびにGaのIII族元素とNのV族元素とをパルス的に交互に供給してAlGaNの結晶成長を行う。ものである。【選択図】 図1

Claim 1：

結晶原料により形成される半導体の結晶成長方法において、 複数種類の結晶原料を交互にパルス状に供給して結晶成長を行うようにした 半導体の結晶成長方法。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  H01L21/365

FI (2)：

H01L21/205 ,  H01L21/365

F-Term (8)：

5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045EE19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体の不純物ドーピング方法、その装置および半導体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264743   Applicant：理化学研究所
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147704   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体の不純物ドーピング方法、その装置および半導体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264743   Applicant：理化学研究所
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147704   Applicant：シャープ株式会社