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J-GLOBAL ID：200903002573674730

マグネトロンプラズマ処理装置

Inventor： 平野 能久 ,  田原 好文
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991207410
Publication number (International publication number)：1993029270
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 被処理体の全面について均一な処理を行なうことができるマグネトロンプラズマ処理装置を提供する。【構成】 ウエハ10の外周を囲むように、カソードリング22および補助リング24を載置する。さらに、補助リング24の表面からアノード電極30aまでの距離が、ウエハ10の処理面からアノード電極30aまでの距離よりも短くなるように、補助リング24の厚さを定めることにより、このウエハ10の周辺部のマグネトロンプラズマ生成量を増大させ、これにより、マグネトロンプラズマ生成領域全体におけるマグネトロンプラズマ生成量の均一化を図り、ウエハ10に対する均一な処理を実現する。

Claim (excerpt)：

被処理体を載置する第1の電極およびこの第1の電極に対向する第2の電極によって形成された電界と、磁界発生手段によって形成された前記電界と垂直な成分を有する磁界と、を作用させて反応室内にマグネトロンプラズマを生成し、このマグネトロンプラズマによって前記被処理体の処理を行なうマグネトロンプラズマ処理装置において、前記被処理体の周縁を囲むように前記第1の電極上に載置されたリングを有し、且つ、このリングの厚さを、このリングの表面から前記第2の電極までの距離が前記第1の電極に載置された前記被処理体の処理面から前記第2の電極までの距離よりも短くなるように定めたことを特徴とするマグネトロンプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31