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J-GLOBAL ID：200903002575315621
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298424
Publication number (International publication number)：1994151448
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【構成】Alを含む半導体層をワイドギャップエミッタ層102としたコレクタアップ構造のHBTの作製工程において、コレクタメサを形成してベース層103を露出させた後、Fを含むプラズマ処理を施して外部ベース領域106及び外部エミッタ領域107を高抵抗化させる。次いで、400〜600°Cのアニールを施すことにより外部ベース領域106の抵抗はプラズマ処理前のレベルまで低抵抗化する。一方、外部エミッタ領域107は一層、高抵抗化する。【効果】ベース・コレクタ容量及び外部ベース抵抗が小さく、且つ、電流利得の大きいコレクタアップ型HBTが簡便なプロセスにより作製できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1の半導体よりなる高濃度n型サブエミッタ層,Alを含む第2の半導体よりなるn型エミッタ層,前記第1の半導体よりなる高濃度p型ベース層,前記第1の半導体よりなる低濃度コレクタ層、および、前記第1の半導体よりなる高濃度n型サブコレクタ層を形成する工程,所望のマスクパターンを用いてコレクタメサを形成し前記第1の半導体よりなる高濃度p型外部ベース領域を露出させる工程,前記高濃度p型外部ベース領域及び領域下の前記Alを含む第2の半導体よりなるn型エミッタ層に対してFを含むガスのプラズマ処理を施す工程,400〜600°Cのアニール処理を施す工程を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
