Pat

J-GLOBAL ID：200903002575614440

ダイヤモンドのエッチング方法

Inventor： 西林 良樹 ,  鹿田 真一 ,  富川 唯司 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992278548
Publication number (International publication number)：1994132254
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エッチング後の表面が平坦で、マスク材料に対するエッチング選択比が高いダイヤモンドの選択エッチングを可能にする。【構成】 不活性ガスと酸素原子を含むガスとの混合ガスを用い、O原子の混合比を特定の範囲に選んでダイヤモンドをプラズマエッチングする。【効果】 平坦で選択比の大きいエッチングが可能になり、優れた特性を持つダイヤモンドデバイスを自由に構成することができる。また、ダイヤモンドを用いたメス、針の作製、MCM基板、ヒートシンク、電子放出素子、歯車やマイクロマシン等の製造においても微細な加工が可能となる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの表面にマスクを形成し、不活性ガスと酸素原子を含むガスとの混合ガスを用いてダイヤモンドを選択的にプラズマエッチングする方法において、混合ガス中の酸素原子の混合比(2×[O]/[不活性ガス+酸素原子を含むガス])が0.01%以上で20%以下の範囲であることを特徴とするダイヤモンドのエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00