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J-GLOBAL ID：200903002577512998
単結晶SiC及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998023271
Publication number (International publication number)：1999228296
Application date： Feb. 04, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 マイクロパイプ欠陥はもとより格子歪みや格子欠陥のない非常に良質の単結晶を低温かつ短時間の熱処理によって効率よく成長させることができ、半導体材料としての実用化及び適用性の拡大を促進可能とする。【解決手段】 α-SiC単結晶基材1の表面に水素イオン含有層2 ́を介して熱CVD法でβ-SiC層3を形成した後、その複合体Mを2000〜2200°Cの温度範囲で熱処理することによりβ-SiC層3の多結晶体をα-SiCに転化させるとともにα-SiC単結晶基材1の結晶軸と同方位に配向させてα-SiC単結晶4を一体に成長させる。
Claim (excerpt)：
α-SiC単結晶基材の表面に水素イオンの含有層を介して熱化学的蒸着法でβ-SiC層を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β-SiC層の多結晶体をα-SiCに転化させるとともに上記α-SiC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
