Pat

J-GLOBAL ID：200903002581292579

表面処理方法

Inventor： 草野 行弘 ,  稲垣 智子 ,  吉川 雅人 ,  秋山 節夫 ,  内藤 壽夫
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993348107
Publication number (International publication number)：1994248098
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Sep. 06, 1994
Summary：

【要約】【構成】 ハロゲン原子、酸素原子及び窒素原子の少なくとも1つの原子を含む分子からなるガスの存在下において、印加電極と接地電極との間に電圧を印加してコロナ放電させ、該放電によって発生したガスで被処理物の表面を処理することを特徴とする表面処理方法を提供する。【効果】 本発明によれば、クリーンな環境で簡単に表面処理を行うことができ、低圧プラズマ処理などの従来法と比較して良好かつ大気圧プラズマ法と同様に良好な接着表面を有する加硫ゴムを得ることができると共に、大気圧プラズマ法のように高価なヘリウムなどの希釈ガスを必要としない上に、安価で汎用のコロナ電源を使用することができ、また、ごく表面のみが処理されるため、被処理物自体の物性を損なうことがない。

Claim (excerpt)：

ハロゲン原子、酸素原子及び窒素原子の少なくとも1つの原子を含む分子からなるガスの存在下において、電極間に電圧を印加してコロナ放電させ、該放電によって発生したガスで被処理物の表面を処理することを特徴とする表面処理方法。

IPC (3)：

C08J 7/00 303 ,  C08J 7/00 CEQ ,  C08L 21:00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-223241
  
• 特開昭62-235339
  
• 特開平2-289629