Pat

J-GLOBAL ID：200903002587755589

半導体部品の接合方法

Inventor： ドナルド ディー.ベーコン ,  アヴィシャイ カッツ ,  チエン-スン リー ,  キング リエン タイ ,  ユ-マン ウォン
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216856
Publication number (International publication number)：1994177135
Application date： Aug. 10, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 金-錫ハンダを用いて、低融点で自己整合可能なはんだ接合方法を提供することである。【構成】 本発明の第1体(ダイアモンド基板)20と第2体(半導体)10とを接合する方法は、(a)前記第1体の表面の少なくとも一部を被うように、バリア金属(W,Mo,Cr,Ru)からなるバリア層21を形成するステップと、(b)前記バリア層を被うように、第1金属(Ni)と第2金属(Sn)製の補助層22を前記バリア金属とともに堆積するステップと、(c)前記補助層の上に第1金属と第2金属製のウェット層23(金属間化合物Ni3sN4を形成する)を形成するステップと、(d)前記ウェット層の上にハンダ層24(厚さ5μm以下)を形成するステップとからなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1体(20)と第2体(10)とを接合する方法において、 (a)前記第1体の表面の少なくとも一部を被うように、バリア金属からなるバリア層(21)を形成するステップと、(b)前記バリア層を被うように、第1金属と第2金属製の補助層(22)を前記バリア金属とともに堆積するステップと、(c)前記補助層の上に第1金属と第2金属製のウェット層(23)を形成するステップと、(d)前記ウェット層の上にハンダ層(24)を形成するステップと、からなることを特徴とする半導体部品の接合方法。

IPC (4)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/58 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭51-078986