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J-GLOBAL ID：200903002591625509

半導体結晶ウェハの研磨方法及び半導体結晶ウェハ

Inventor： 谷 毅彦 ,  植松 鋭 ,  池田 健 ,  秋山 弘樹
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001287431
Publication number (International publication number)：2003100671
Application date： Sep. 20, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ヘイズレベルの低いウェハを安定に得るための半導体結晶ウェハの研磨方法及び半導体結晶ウェハを提供する。【解決手段】 研磨装置の研磨液に界面活性剤を添加すると、界面活性剤の減摩作用により、研磨装置の研磨布の機械作用を減少させることができる。この結果、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハを安定に得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの研磨方法において、研磨液に界面活性剤とアルカリ性水溶液とを混合したものを用いて半導体ウェハの表面を研磨することを特徴とする半導体結晶ウェハの研磨方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (4)：

H01L 21/304 622 C ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

F-Term (5)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17