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J-GLOBAL ID：200903002591817874
酸化物/ポリサイド構造をプラズマ・エッチングするための方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996526605
Publication number (International publication number)：1997509017
Application date： Mar. 05, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】本発明の方法により、薄い酸化物層(12)によってコーティングされたシリコン基板(11)上に形成されたSiO2キャップ酸化物層(15)と、ケイ化タングステン層(14)と、下部ポリシリコン層(13)とから構成されるスタックを含む半導体構造(10’)を、その間にレジスト除去/清浄ステップを含む2ステップ・プラズマ・プロセスでパターン化する。構造の上にレジスト・マスク(16)を形成した後、CHF3と、O2と、Arとの化学物質を使用するマルチチャンバMERIE反応器の第1のチャンバで、標準通り、SiO2キャップ層をエッチングする。次に、反応器から半導体構造を取り除く。標準通り、O2灰化によってレジスト・マスクを除去し、DHF(100:1)を使用してウェハを清浄する。次に、RIE反応器の第2のチャンバに構造を導入し、適当な化学物質によって、ハード・マスクとしてパターン化したSiO2キャップ層を使用して、WSi2およびポリシリコン層を順次エッチングする。ケイ化タングステン・エッチングには好ましくは数ppmのO2を含むHClと、Cl2と、N2との混合物が適当であり、ポリシリコン・エッチングにはHClと、He-O2と、Heとの混合物が適当である。このステップ中に薄い酸化物の層が侵食される程度は非常に小さい。最後に、半導体構造を反応チャンバから取り除き、清浄し、後続処理のための準備を行う。この改良された方法では、ほとんど汚染が発生せず、標準のエッチング・プロセスの場合では4つであったのに対し、必要な反応チャンバはわずか2つである。この改良されたエッチング方法は、半導体業界で広範囲に応用でき、特に、16MビットDRAMチップのゲート導線の形成に応用可能である。
Claim (excerpt)：
基板(11、12)上に付着されたスタックを形成する、絶縁材料の上部層(15)と超硬合金ケイ化物の中間層(14)と下部ポリシリコン層(13)とから構成される絶縁材料/ポリサイド構造をドライ・エッチングするための方法において、 所望のパターンを有し、通常はフォトレジストのエッチング・マスク(16)を前記絶縁層上に形成するステップと、 プラズマ反応器の第1の反応チャンバで、前記パターンを前記絶縁層に転写するステップと、 チャンバから構造を取り出すステップと、 エッチング・マスクを除去し、構造を清浄するステップと、 ハード・マスクとしてパターン化した絶縁層を使用してプラズマ反応器の第2の反応チャンバで構造をエッチングし、まず第1の化学物質を有する超硬合金ケイ化物層の露光部分を除去し、次に第2の化学物質を有するポリシリコン層の露光部分を除去するステップであって、その間にプラズマ消光を発生せず、前記化学物質が互換性のあるものであるステップとを含むことを特徴とする方法。
IPC (2)：
FI (4)：
H01L 21/302 J
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 E
, C23F 4/00 C
