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J-GLOBAL ID：200903002601561741

半導体装置

Inventor： 向川 泰和
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993122610
Publication number (International publication number)：1994334050
Application date： May. 25, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 水素を含まない保護膜を備えた半導体装置を得ること。【構成】 半導体基板3の上に融点が800°C以上の材料で形成されたメタル配線層12が設けられる。メタル配線層12は、素子2に電気的に接続される。メタル配線層12を覆うように、半導体基板1の上に、赤外吸収スペクトル分析においてSi-Hの吸収ピークのない窒化膜で形成された保護膜13が設けられる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた素子と、前記半導体基板の上に設けられ、かつ前記素子に電気的に接続される、融点が800°C以上の材料で形成されたメタル配線層と、前記メタル配線層を覆うように前記半導体基板の上に設けられ、水素原子を含まない窒化膜で形成された保護膜と、を備えた半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 27/10 434