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J-GLOBAL ID：200903002604998741

超電導素子

Inventor： 津田 孝一 ,  松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  木村 浩 ,  石井 孝志 ,  大井 明彦 ,  向江 和郎
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992261669
Publication number (International publication number)：1994112539
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】耐電圧に優れる超電導トランジスタを得る。【構成】基板1上に第二の導電型の酸化物超電導体3であるソース領域とドレイン領域、さらに第一の導電型の酸化物超電導体2と第二の導電型の酸化物超電導体3が積層された接合領域を設け、この接合領域上にゲート電圧の印加される絶縁層4を積層する。

Claim (excerpt)：

基板上にソース領域と、ドレイン領域と、接合領域と、絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有し、ソース領域と、ドレイン領域と、接合領域は基板上に直接的に積層され、接合領域はソース領域とドレイン領域の間に配置され、絶縁層は前記接合領域の上に積層され、ソース電極はソース領域に接続され、ドレイン電極はドレイン領域に接続され、ゲート電極は絶縁層に接続され、接合領域は薄膜である第一の導電型の酸化物超電導体と第二の導電型の酸化物超電導体の積層されたものであり、ソース領域とドレイン領域は同一の導電型の酸化物超電導体で、前記接合領域の同一導電型の酸化物超電導体を介して相互に接続されるものであることを特徴とする超電導素子。