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J-GLOBAL ID：200903002606932586
不揮発性DRAM装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992005815
Publication number (International publication number)：1993189977
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 製品歩留りおよびデータの信頼性を格段に向上できる不揮発性DRAM装置を実現する。【構成】 不揮発性DRAM1に電源が投入され、リフレッシュ要求発生回路6からマイクロプロセッサ2にリフレッシュ要求指令があると、該マイクロプロセッサ2から不揮発性DRAM1のバーCEピン、バーOEピン、バーWEピン、バーNEピンに制御信号が与えられ、これにより、まず、全ビットのリコール動作が行われ、続いて、リコール状態をリセットした後に、ストア動作を行う。
Claim (excerpt)：
揮発性動作モードおよびリコール動作とストア動作を有する不揮発性動作モードを併せ持つ不揮発性DRAM装置において、電源が投入されると、動作モードを該不揮発性動作モードに切換え、全メモリセルに渡ってリコール動作を行い、続いて全メモリセルに渡ってストア動作を行う不揮発性DRAM装置。
IPC (3)：
G11C 14/00
, G11C 11/401
, G11C 16/06
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/34 371 E
, G11C 17/00 309 F
