半導体装置の作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999368668
Publication number (International publication number)：2000188403
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】新規な半導体装置の作製方法を提供する【解決手段】絶縁表面上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体膜にN型またはP型の導電性を持つ不純物を注入し、熱処理によって水素化処理をする半導体装置作製方法であって、前記熱処理はプラズマを伴わず、かつ200°C〜500°Cで行うことを特徴とする半導体装置作製方法。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体膜にN型またはP型の導電性を持つ不純物を注入し、熱処理によって水素化処理をする半導体装置作製方法であって、前記熱処理はプラズマを伴わず、かつ200 °C〜500 °Cで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/322 , H01L 21/324 , H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 1/028

FI (6)：

H01L 29/78 627 E , H01L 21/322 Z , H01L 21/324 X , H04N 1/028 Z , H01L 27/14 C , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-298071
特開昭56-017083
特開昭59-022365

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