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J-GLOBAL ID：200903002615495440

半導体センサ

Inventor： 嶋田 智 ,  鵜飼 征一 ,  飛田 朋之 ,  佐瀬 昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995228783
Publication number (International publication number)：1997072805
Application date： Sep. 06, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、非直線性を改善し測定範囲を拡大することである。【構成】一つの導電型を有する半導体基板と、上記半導体基板上に形成され上記半導体基板とは異なる導電型であって圧力等の入力変化に応じて出力を変化させる検出素子と、上記検出素子からの出力を増幅する信号処理手段とからなる半導体センサにおいて、上記信号処理手段によって増幅された出力を、上記検出素子上に帰還させ、当該帰還後の上記検出素子の出力を上記信号処理手段によって増幅し、センサ出力とする。【効果】本発明の原理構成を適用実施することによって、センサの非直線誤差を小さくし、ひいては測定範囲を拡大できる。

Claim (excerpt)：

一つの導電型を有する半導体基板と、上記半導体基板上に形成され上記半導体基板とは異なる導電型であって圧力等の入力変化に応じて出力を変化させる検出素子と、上記検出素子からの出力を増幅する信号処理手段とからなる半導体センサにおいて、上記信号処理手段によって増幅された出力を、上記検出素子上に帰還させ、当該帰還後の上記検出素子の出力を上記信号処理手段によって増幅し、センサ出力とすることを特徴とする半導体センサ。

IPC (4)：

G01L 9/04 101 ,  G01B 7/16 ,  G01L 1/00 ,  H01L 29/84

FI (4)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 1/00 J ,  H01L 29/84 B ,  G01B 7/18 G