Pat
J-GLOBAL ID:200903002617264917
基質上へのフィルムの蒸着法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小田島 平吉
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002513963
Publication number (International publication number):2004504496
Application date: Jul. 09, 2001
Publication date: Feb. 12, 2004
Summary:
基質上へのフィルムの化学蒸着法。バルク化学蒸着の前に、基質を核形成処理に供する。核形成処理は原子層蒸着を含み、ここで基質は少なくとも2種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、ここで核形成温度は用いられる反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれる。
Claim (excerpt):
-反応室内に基質を導入し、
-該基質を第1の温度において核形成処理を含む第1の処理に供し、核形成層を得、
-続いて第2の温度においてバルク(bulk)化学蒸着を含む第2の処理に供し、
-ここで該第1及び第2の処理を同じ反応室内で行う
ことを含み、
-該核形成処理が原子層蒸着(atomic layer deposition)を含み、ここで基質は少なくとも2種の互いに反応性の気体状反応物のパルスに交互に且つ連続的に暴露され、該第1の温度は該反応物のいずれの凝縮も妨げるように且つ該反応物のそれぞれの実質的な個別の熱分解を妨げるように選ばれ、核形成処理は20サイクル未満を含む
ことを特徴とする、基質上にフィルムを化学蒸着するための方法。
IPC (3):
C23C16/44
, H01L21/285
, H01L21/316
FI (3):
C23C16/44 A
, H01L21/285 C
, H01L21/316 X
F-Term (20):
4K030AA11
, 4K030BA17
, 4K030BA18
, 4K030BA22
, 4K030BA38
, 4K030BA42
, 4K030BA43
, 4K030EA03
, 4K030JA10
, 4M104BB30
, 4M104DD43
, 5F058BA06
, 5F058BC03
, 5F058BD05
, 5F058BE10
, 5F058BF04
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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気相成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-202082
Applicant:富士通株式会社
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特開昭64-037832
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特開昭64-037832
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