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J-GLOBAL ID：200903002617990413

面発光型半導体レーザ素子

Inventor： 三宅 輝明 ,  茨木 晃 ,  古沢 浩太郎 ,  石川 徹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342468
Publication number (International publication number)：1994196804
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗で且つ高反射率可能な半導体多層膜反射鏡膜を有する面発光型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型Ga0.6Al0.4As第1クラッド層と、該第1クラッド層上に形成されたp型GaAs活性層と、該活性層上に形成されたp型Ga0.6Al0.4As第2クラッド層5と、からなるダブルヘテロ構造部を備え、このダブルヘテロ構造部上にp型AlAs第1半導体層7aとp型Ga0.85Al0.15As第2半導体層7bがi型Ga0.85Al0.15As第2半導体層7cを介して交互に積層されてなる第2半導体多層膜反射鏡7を設けた構成とした。

Claim (excerpt)：

第1クラッド層と、該第1クラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第2クラッド層と、からなるダブルヘテロ構造部を備え、該ダブルヘテロ構造部の上下少なくとも一方側に発振波長に対応するエネルギーより大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体層からなる半導体多層膜反射鏡を設けた面発光型半導体レーザ素子において、前記半導体多層膜反射鏡は、第1導電型の第1半導体層と、該第1半導体層と同一導電型で且つ第1半導体層に比べてバンドギャップが小さい第2半導体層とが、該第2半導体層と同一組成で且つ層厚の小さいノンドープの第3半導体層を介して交互に構成されたことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。