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J-GLOBAL ID：200903002618152640

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 福元 正人 ,  高木 万里子 ,  小澤 良夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998030072
Publication number (International publication number)：1999233758
Application date： Feb. 12, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】空乏層容量の増大を招くことなく、ゲート電極中のボロンがシリコン基板に拡散することを防止できるMOSトランジスタを実現すること。【解決手段】n型シリコン基板1上に形成されたゲート酸化膜2と、このゲート酸化膜2上に形成され、窒素を含み、膜厚がシリコン酸化膜の膜厚に換算して1nm以下のシリコン窒化膜3と、このシリコン窒化膜上に形成され、ボロンを含むポリシリコン膜からなるゲート電極4とを備えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成され、窒素を含み、膜厚がシリコン酸化膜の膜厚に換算して1nm以下の薄膜と、この薄膜上に形成され、不純物を含むゲート電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。