ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002330598
Publication number (International publication number)：2003177540
Application date： Sep. 20, 1996
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】反射防止膜を用いたプロセス及び用いないプロセスのいずれにも適用することができ、レジストパターン形状、感度、焦点深度幅特性及び引き置き経時安定性に優れ、かつ基板依存性のない化学増幅型ポジ型レジストを提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、上記(B)成分が、(b1)シアノ基含有オキシムスルホネート化合物類と、(b2)ビススルホニルジアゾメタン類又はオニウム塩類、あるいはその両方との混合物であるポジ型レジスト組成物とする。

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、上記(B)成分が、(b1)シアノ基含有オキシムスルホネート化合物類と、(b2)ビススルホニルジアゾメタン類又はオニウム塩類、あるいはその両方との混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 503 A , H01L 21/30 502 R

F-Term (16)：

2H025AA01 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025DA34 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-286168 Applicant：東京応化工業株式会社
特開平2-19847号公報
特開平2-25850号公報

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Cited by examiner (7)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いた多層レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-250712 Applicant：東京応化工業株式会社
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-286168 Applicant：東京応化工業株式会社
高感度の高解像度i-線ホトレジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-144327 Applicant：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド

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