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J-GLOBAL ID：200903002623207917

炭化ケイ素単結晶基板製造方法

Inventor： 前田 泰宏 ,  谷口 斉一 ,  福田 百八
Applicant, Patent owner： 日新製鋼株式会社
Agent (1)： 小橋 信淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992037209
Publication number (International publication number)：1993208897
Application date： Jan. 28, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 種結晶からの不純物拡散による単結晶成長部分の汚染を防止し、高純度で結晶方位が揃った優れた品質の炭化ケイ素単結晶を製造する。【構成】 エピタキシャル成長によってSiベース11の上に形成したSiC膜12を、炭化ケイ素単結晶成長用の種結晶として使用する。成長用基板10は、黒鉛製基体20に載置された状態で結晶成長炉に配置される。炭化ケイ素原料の昇華温度域に到達する昇温過程で、Siベース11が黒鉛製基体20と反応して融合反応部13となり、種結晶として働くSiC膜12だけが残留する。

Claim (excerpt)：

エピタキシャル成長によってSiC膜をSi板の表面に形成し、Siベース側が黒鉛製基体に接触するように前記Si基板を前記黒鉛製基体に載置し、炭化ケイ素原料の昇華温度域に至る昇温過程で前記Siベースを前記黒鉛製基体と融合一体化し、前記SiC膜を種結晶として残すことを特徴とする炭化ケイ素単結晶成長用基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B 25/18 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/12 ,  C30B 29/36