Pat

J-GLOBAL ID：200903002628445620

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor： 榊間 博 ,  入江 庸介 ,  里見 三男 ,  川分 康博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994136987
Publication number (International publication number)：1996008473
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】基板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬質磁性膜1と、これにより磁気的にバイアスされた磁性膜2、及び高透磁率軟磁性膜3を備え、磁性膜2と高透磁率軟磁性膜3との間に非磁性金属膜4を備えたことにより、室温・微小磁界動作が可能でかつ大きなMR比を示す高感度素子を提供する。【構成】硬質磁性膜1と磁性膜2、高透磁率軟磁性膜3、非磁性金属膜4より磁気抵抗効果素子は構成され、MRヘッドの場合はこれに信号磁界を導くためのヨークと絶縁膜が付け加わる。動作原理は硬質磁性膜1により磁性膜2の磁化は一方向に固定され、非磁性金属膜4により磁性膜2との磁気的結合を断たれている軟磁性膜3の磁化は信号磁界により自由に磁化反転するため、両磁性膜2、3の磁化が平行もしくは反平行となり大きな磁気抵抗効果を示す。

Claim (excerpt)：

基板上のいずれかの部分に高保持力を有する硬質磁性膜と、これにより磁気的にバイアスされた磁性膜、及び高透磁率軟磁性膜を少なくとも備えた磁気抵抗効果素子であって、前記磁性膜と前記高透磁率軟磁性膜との間に非磁性金属膜を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00