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J-GLOBAL ID：200903002635460766

薄膜形成方法およびその装置

Inventor： 河 岸 健 二 ,  荒 井 芳 博
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991020135
Publication number (International publication number)：1993078831
Application date： Feb. 13, 1991
Publication date： Mar. 30, 1993
Summary：

【要約】【構成】 スパッタリングによる薄膜形成方法において、真空槽内で、一対のターゲットを基板に近づくにしたがって相互の距離を広げるように、基板に対して傾斜して配置し、上記ターゲットに電界を印加し放電を生じさせると同時に、磁力線が量ターゲットを通るように磁界を印加しながら、基板に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。真空槽内で基板を支持する支持手段と、上記基板に近づくにしたがって相互の距離を広げるように、基板に対して傾斜して配置された一対のターゲットに、電圧を印加しスパッタを起こさせる電圧印加手段と、一方のターゲットから他方のターゲットの方向に磁界を印加する磁界印加手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。【効果】 基板上に均質でかつ緻密な薄膜を速い成膜速度で形成することができる。

Claim (excerpt)：

スパッタリングによる薄膜形成方法において、真空槽内で、一対のターゲットを基板に近づくにしたがって相互の距離を広げるように、基板に対して傾斜して配置し、上記ターゲットに電圧を印加し放電を生じさせると同時に、磁力線が両ターゲットを通るように磁界を印加しながら、基板に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/35