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J-GLOBAL ID：200903002645955887

半導体レーザ装置

Inventor： 光田 昌弘 ,  中森 達哉 ,  加藤 裕司 ,  廣瀬 正則
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001171640
Publication number (International publication number)：2002368323
Application date： Jun. 06, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】発光点の移動が起こらず、従来のCANタイブと同様な機器への装着を可能とする樹脂モールド型の半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】幅広のリードフレーム101上にはサブマウント層102を介してレーザダイオード素子103が固定され、前記リードフレームの中央部には円筒形状のモールド成型された樹脂基台部104を有する。ここでリードフレームの幅広部の両側面は上下対称な形状の樹脂で柱状にモールドされている。よって、CAN型パッケージ同様に円筒形状の樹脂基台により機器へ嵌合させて取り付けを行えると同時に、樹脂と金属の貼り合わせ構造でも熱膨張係数差による収縮で変形を生じないため、発光点の移動の問題は生じない。

Claim 1：

幅広部を有するリードフレームと、前記リードフレームの幅広部上にサブマウント層を介して固定されたレーザダイオード素子と、前記リードフレームの少なくとも一部を樹脂モールドした樹脂基台部とを備えてなる半導体レーザ装置であって、前記リードフレームの幅広部の少なくとも一部の辺をほぼ上下対称な形状の樹脂でモールドしたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/125 ,  H01L 23/48

FI (6)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/125 A ,  H01L 23/48 H ,  H01L 23/48 M ,  H01L 23/48 P ,  H01L 23/48 Y

F-Term (11)：

5D119AA33 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA35 ,  5F073BA02 ,  5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073EA15 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 高粘度材料の混練装置システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-208493   Applicant：株式会社井上製作所, サンライズメイセイ株式会社
• 特開平4-280487
  

Cited by examiner (2)

• 高粘度材料の混練装置システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-208493   Applicant：株式会社井上製作所, サンライズメイセイ株式会社
• 特開平4-280487