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J-GLOBAL ID：200903002665301034

バレル型気相成長装置

Inventor： 富田 宗範 ,  田代 智博
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066983
Publication number (International publication number)：1996236463
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長層の品質を低下させずにバッチ容量の大きなバレル型気相成長装置を提供する。【構成】 反応炉42の上部を一周して取り囲む強制空気冷却手段52の送風口68と連通した上部ダクト56と、加熱手段47と反応炉42の側壁との間に設けられ、冷却空気を反応炉42の側壁に沿って下方に流下させて反応炉42の側壁を冷却する表側冷却空気空間55と、強制空気冷却手段52の送風口68と連通した裏側冷却空気空間54と、反応炉42の最下部周囲に設けられ、表側冷却空気空間55と連通した排気ダクト58と、排気ダクト58と空気取り入れ口69との間に設けられた熱交換器59とを有する反応炉壁の冷却手段を備え、さらに、反応炉42下部の支持手段63をフレーム41下壁に設けられた窪みまたは穴の中に設け、実質的にフレーム41下壁の外側に反応炉42下部の支持手段63を備えた。

Claim (excerpt)：

半導体基板の保持手段と、反応ガスの供給手段と、該半導体基板の保持手段を収容し内部に反応ガスが供給される反応炉と、反応炉の加熱手段と、反応ガスの排気手段と、該反応炉及び加熱手段を強制冷却する強制空気冷却手段とをフレーム内に収容して設けられてなるバレル型気相成長装置において、前記反応炉の上部を一周して取り囲むように設けられ前記強制空気冷却手段の送風口と連通した上部ダクトと、前記加熱手段と前記反応炉の側壁との間に設けられ、上部で連通した前記上部ダクトを介して冷却空気を前記反応炉の側壁に沿って下方に流下させて前記反応炉の前記側壁を冷却する表側冷却空気空間と、前記加熱手段を取り囲むように設けられたカバーと、前記加熱手段と前記カバーとの間に設けられ、前記強制空気冷却手段の送風口と連通した裏側冷却空気空間と、前記反応炉の最下部周囲に設けられ、前記表側冷却空気空間と連通した排気ダクトと、前記排気ダクトと前記強制空気冷却手段の空気取り入れ口との間に設けられた熱交換器とを有する反応炉壁の冷却手段を備え、さらに、反応炉下部の支持手段を前記フレーム下壁に設けられた窪みまたは穴の中に設け、実質的に前記フレーム下壁の外側に前記反応炉下部の支持手段を備えたことを特徴とするバレル型気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/12

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表平4-503736
  
• 特開平2-241029
  
• 特開平1-278718