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J-GLOBAL ID：200903002681210120
半導体集積回路及びその駆動方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996267005
Publication number (International publication number)：1998112643
Application date： Oct. 08, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：
【要約】【課題】 周辺LSIにおいて使用される電源電圧を変更する場合、CMOSトランジスタに供給される電源電圧がCMOSトランジスタにおける耐圧レベル内になるように、周辺LSIの電源電圧にあわせて設計及び開発をしなおさなければならない。【解決手段】 周辺LSIにおいて使用される電源電圧がCMOSトランジスタ12,13の耐圧レベルを超える電源電圧である場合は、ダイオード7を介して電源ライン3からCMOSトランジスタ12,13に電源を供給し、周辺LSIにおいて使用される電源電圧がCMOSトランジスタ12,13の耐圧レベル内の電源電圧である場合は、電源ライン4からCMOSトランジスタ12,13に電源を供給する。
Claim 1：
CMOSトランジスタと、周辺LSIとを少なくとも有してなる半導体集積回路において、前記CMOSトランジスタ及び前記周辺LSIに電源を供給するための第1及び第2の電源ラインと、前記第1の電源ラインと前記CMOSトランジスタとの間に接続された第1のダイオードと、前記CMOSトランジスタ及び前記周辺回路に接続される第1及び第2のグランドラインと、前記第1のグランドラインと前記CMOSトランジスタとの間に接続された第2のダイオードとを有し、前記第2の電源ラインは、前記CMOSトランジスタと前記第1のダイオードとの間に接続され、前記第2のグランドラインは、前記CMOSトランジスタと前記第2のダイオードとの間に接続され、前記第1のグランドラインは、接地されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2)：
H03K 19/0175
, H03K 19/0948
H03K 19/00 101 F
, H03K 19/094 B
