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J-GLOBAL ID：200903002684159117

半導体装置

Inventor： 田中 みわ ,  中田 錬平 ,  早坂 伸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187461
Publication number (International publication number)：1998032199
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】吸湿性および透水性が高い絶縁膜を提供すること。【解決手段】絶縁膜として、酸素および窒素のうち少なくとも酸素を含み、ラマン散乱スペクトルが、波数600〜610cm-1の範囲において散乱強度に関して極大値を有し、かつ上記範囲における散乱強度ピーク面積を波数440cm-1における散乱強度によって規格した値が3以下の絶縁性シリコン膜を用いる。

Claim (excerpt)：

酸素および窒素のうち少なくとも酸素を含む絶縁性シリコン膜を有する半導体装置において、前記絶縁性シリコン膜のラマン散乱スペクトルは、波数600〜610cm-1の範囲において散乱強度に関して極大値を有し、かつ前記範囲における散乱強度ピーク面積を波数440cm-1における散乱強度によって規格した値が3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371