チアゾリジン誘導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997120130
Publication number (International publication number)：1998338679
Application date： Apr. 24, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 5-(4-アシロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンを経由し、5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンを高収率で製造する方法を提供する。【解決手段】 5-(4-ヒドロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンのフェノール性水酸基をアシル基で保護し、塩化トリフェニルメチルによりトリフェニルメチル化した後、脱アシル化することにより、目的とする5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンを高収率で製造できる。

Claim 1：

5-(4-アシロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンを経由して、5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンを製造する方法において、(a) 5-(4-ヒドロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンのフェノ-ル性水酸基をアシル基で保護する第1工程、(b) 上記第1工程で得られた下記一般式(1)で表される5-(4-アシロキシベンジル)チアゾリジン-2,4-ジオンを塩化トリフェニルメチルと反応させる第2工程、(式中、R1 は炭素数1〜3のアルキル基、またはフェニル基を示す)(c) 上記第2工程で得られた下記一般式(2)で表される5-(4-アシロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンのアシル基を脱保護する第3工程、(式中、R1 は前記と同様)からなることを特徴とする、5-(4-ヒドロキシベンジル)-3-トリフェニルメチルチアゾリジン-2,4-ジオンの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

チアゾリジン化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-346121 Applicant：三共株式会社
ベンジルチアゾリジンジオン誘導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-103220 Applicant：日東化学工業株式会社

Return to Previous Page