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J-GLOBAL ID：200903002702962933

プラズマ処理装置

Inventor： 友安 昌幸
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997126444
Publication number (International publication number)：1998074600
Application date： Apr. 30, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 反応性ガスの過剰な解離を抑制して、処理速度及び選択比も高くすることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 処理容器4内に収容された被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内にプラズマを発生させるための高周波誘導磁界を供給する高周波誘導手段26と、この誘導手段により発生されたプラズマのスキンデプスの領域内の電子の平均自由行程を制限するための制限手段32とを備え、前記処理ガスの解離状態が任意の処理条件に対して最適となるように、前記プラズマのスキンデプスの領域内の電子エネルギー分布を変更するように構成する。これにより、制限手段に電子を衝突させてそのエネルギー分布を変更して処理ガスの解離状態を最適化する。

Claim (excerpt)：

処理容器内に収容された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内にプラズマを発生させるための高周波誘導磁界を供給する高周波誘導手段と、この誘導手段により発生されたプラズマのスキンデプスの領域内の電子の平均自由行程を制限するための制限手段とを備え、前記処理ガスの解離状態が任意の処理条件に対して最適となるように、前記プラズマのスキンデプスの領域内の電子エネルギー分布を変更するようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (7)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B