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J-GLOBAL ID：200903002707267699

シリコン酸化膜の形成方法

Inventor： 鈴木 篤 ,  徳永 和彦 ,  鈴木 利彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995160103
Publication number (International publication number)：1996330302
Application date： Jun. 02, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】E’中心が少なく、絶縁破壊耐圧が高く、信頼性に優れたシリコン酸化膜を形成するためのシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体基板10上にシリコン酸化膜11を形成した後、イオン注入法によりイオンを該シリコン酸化膜11に注入し、その後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸化膜11を熱処理する。イオン注入におけるイオン種は、珪素、酸素、窒素、ヒ素、リン、ホウ素及びハロゲン元素から成る群から選ばれた少なくとも1種の元素、あるいはかかる元素から構成された化合物の形態であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した後、イオン注入法によりイオンを該シリコン酸化膜に注入し、その後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸化膜を熱処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 29/78 301 P