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J-GLOBAL ID：200903002713177910

積層セラミック電子部品およびその製造方法

Inventor： 榧谷 孝行 ,  元木 章博
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 小柴 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008155289
Publication number (International publication number)：2009302300
Application date： Jun. 13, 2008
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：

【課題】薄くかつセラミック素体に対する固着力に優れるとともに、めっき液や水分の浸入を抑制し得る外部端子電極を有する、積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック素体9の、Niを含有する内部導体12の露出部を被覆するようにしてSn含有層25を形成し、その上にCu含有層26を形成し、これらを熱処理することによって、内部導体12とCu含有層26との間にSn-Cu-Ni金属間化合物層を形成する。このSn-Cu-Ni金属間化合物層がバリア層として機能し、NiとCuとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体9と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

複数のセラミック層が積層されてなるもので、互いに対向する第1の主面および第2の主面と、前記第1の主面および前記第2の主面間を接続する複数の側面とを有する、セラミック素体と、 前記セラミック素体の内部に形成され、少なくとも1つの前記側面に露出部を有する、Niを含有する内部導体と、 前記セラミック素体の少なくとも1つの前記側面上に形成され、前記内部導体と電気的に接続された外部端子電極と を備え、 前記外部端子電極は、前記セラミック素体の少なくとも1つの前記側面上において、前記内部導体の前記露出部を被覆するようにして形成された、Sn-Cu-Ni金属間化合物を含有する第1の導電層を含む、積層セラミック電子部品。

IPC (2)：

H01G 4/12 ,  H01G 4/30

FI (6)：

H01G4/12 361 ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301B ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/30 311D

F-Term (17)：

5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AF02 ,  5E001AF03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082EE23 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082GG01 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG21 ,  5E082LL01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 国際公開第2007/049456号パンフレット