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J-GLOBAL ID:200903002713177910
積層セラミック電子部品およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小柴 雅昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008155289
Publication number (International publication number):2009302300
Application date: Jun. 13, 2008
Publication date: Dec. 24, 2009
Summary:
【課題】薄くかつセラミック素体に対する固着力に優れるとともに、めっき液や水分の浸入を抑制し得る外部端子電極を有する、積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック素体9の、Niを含有する内部導体12の露出部を被覆するようにしてSn含有層25を形成し、その上にCu含有層26を形成し、これらを熱処理することによって、内部導体12とCu含有層26との間にSn-Cu-Ni金属間化合物層を形成する。このSn-Cu-Ni金属間化合物層がバリア層として機能し、NiとCuとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体9と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。【選択図】図5
Claim (excerpt):
複数のセラミック層が積層されてなるもので、互いに対向する第1の主面および第2の主面と、前記第1の主面および前記第2の主面間を接続する複数の側面とを有する、セラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に形成され、少なくとも1つの前記側面に露出部を有する、Niを含有する内部導体と、
前記セラミック素体の少なくとも1つの前記側面上に形成され、前記内部導体と電気的に接続された外部端子電極と
を備え、
前記外部端子電極は、前記セラミック素体の少なくとも1つの前記側面上において、前記内部導体の前記露出部を被覆するようにして形成された、Sn-Cu-Ni金属間化合物を含有する第1の導電層を含む、積層セラミック電子部品。
IPC (2):
FI (6):
H01G4/12 361
, H01G4/12 352
, H01G4/12 364
, H01G4/30 301B
, H01G4/30 301C
, H01G4/30 311D
F-Term (17):
5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AF02
, 5E001AF03
, 5E001AH01
, 5E001AH07
, 5E001AJ03
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082EE23
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082GG01
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG21
, 5E082LL01
Patent cited by the Patent:
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