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J-GLOBAL ID：200903002718669179
半導体素子の配線構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993226749
Publication number (International publication number)：1995106416
Application date： Aug. 20, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 配線間隔を減らして集積度を向上させると共に、コンタクト抵抗を減少させることができる半導体素子の配線構造を提供することにその目的がある。【構成】 一定の幅を有して形成される下層配線12と、前記下層配線12の上層に形成され下層配線12の直上で下層配線12より広い幅のコンタクト孔15を有する第2絶縁膜13と、前記コンタクト孔を通じて下層配線12に連結されるように第2絶縁膜13上に形成される上層配線14と、を含んで構成される。
Claim (excerpt)：
一定の幅を有して形成される下層配線(12)と、前記下層配線(12)の上層に形成され下層配線(12)上の所定の位置に下層配線(12)より広い幅のコンタクト孔(15)を有する第2絶縁膜(13)と、前記コンタクト孔を通じて下層配線(12)に連結されるように第2絶縁膜(13)上に形成される上層配線(14)と、を含んで構成されることを特徴とする半導体素子の配線構造。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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