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J-GLOBAL ID：200903002721341460

微細配線の形成方法

Inventor： 中田 好和
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993162391
Publication number (International publication number)：1995022732
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【構成】 セラミックス基板11上にフォトレジスト層12を形成するフォトレジスト層12形成工程と、フォトレジスト層12を露光、現像処理することにより、フォトレジスト層12に配線パターン状に溝部15を形成する溝部15形成工程と、溝部15に金粉末を主成分とし、ガラスフリット及びビヒクルを含む金導体ペースト16を充填する導体ペースト充填工程と、酸化性雰囲気下、750〜900°Cで加熱してフォトレジスト層12を分解、消失させ、かつ金の微細配線18をセラミックス基板11上に焼結させる熱処理工程とを含んでいる微細配線の形成方法。【効果】 容易な操作及び低コストで、セラミックス基板11上にセラミックス基板11との密着性及び導電性等の特性に優れた金の微細配線18を高精度に形成することができる。

Claim (excerpt)：

セラミックス基板上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジスト層を露光、現像処理することにより、前記フォトレジスト層に配線パターン状に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に金粉末を主成分とし、ガラスフリット及びビヒクルを含む金導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、酸化性雰囲気下、750〜900°Cで加熱して前記フォトレジスト層を分解、消失させ、かつ金の微細配線をセラミックス基板上に焼結させる熱処理工程と、を含んでいることを特徴とする微細配線の形成方法。

IPC (2)：

H05K 3/10 ,  H05K 1/03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭52-137666
  
• 特開昭59-075694
  
• 特開昭54-109169
  
• 特開平2-262393
  
• 特開昭63-110790