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J-GLOBAL ID：200903002728604296

半導体ウエハの熱処理方法

Inventor： 庄野克房
Applicant, Patent owner： マイクロテクノロジ株式会社 ,  武蔵工業株式会社
Agent (1)： 秋元 輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991274603
Publication number (International publication number)：1993090188
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 イオン注入した半導体ウエハを瞬間的に加熱し、イオン注入された不純物元素を活性化する。【構成】 キャリヤガスを流入した石英管中に半導体ウエハを固定して配置し、この石英管に沿って加熱した電気炉を移動させ、その熱的慣性を利用して半導体ウエハを瞬間的に均一に加熱する。

Claim (excerpt)：

キャリヤガスを流入した石英管中に半導体ウエハを固定して配置し、この石英管に沿って加熱された電気炉を移動させ、その熱的慣性を利用して前記半導体ウエハを瞬間的に均一に加熱することを特徴とする半導体ウエハの熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/22