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J-GLOBAL ID：200903002735619711

液晶表示装置

Inventor： 中園 卓志 ,  吉橋 英生
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303555
Publication number (International publication number)：1994148685
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 2度のイオン打ち込みを行わずにLDD構造を形成することができ、またドレインリーク電流値を下げることができる。【構成】 絶縁基板と、該基板上に形成されたスイッチング用の多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む画素部と、この画素部に隣接して形成され、画素部を駆動する多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む駆動回路部とを有する薄膜トランジスターアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置において、多結晶シリコン薄膜トランジスターが、上層および下層の2層構造からなるゲート電極を有し、下層のゲート電極の面積が前記上層のゲート電極の面積より広く、かつ上層のゲート電極の面積より広い下層部分の下層のみよりなるゲート電極の直下領域における多結晶シリコン層の電荷濃度が、チャネル領域と、ソース、ドレイン領域の中間濃度である。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、該基板上に形成されたスイッチング用の多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む画素部と、前記画素部に隣接して形成され、前記画素部を駆動する多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む駆動回路部とを有する薄膜トランジスターアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置において、前記多結晶シリコン薄膜トランジスターが、ゲート電極として上層および下層の二層構造からなるゲート電極を有し、前記下層のゲート電極の面積が前記上層のゲート電極の面積より広く、かつ前記上層のゲート電極の面積より広い下層部分の下層のみよりなるゲート電極の直下領域における多結晶シリコン層の電荷濃度が、チャネル領域と、ソース、ドレイン領域の中間濃度であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 G