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J-GLOBAL ID：200903002737557519
半導体用リードフレーム
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996343426
Publication number (International publication number)：1998189851
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 無酸素銅リードフレームの高音質特性を犠牲にすることなく耐熱性を向上させ、耐熱性・導電性に優れた半導体用リードフレームを提供する。【解決手段】 半導体素子や集積回路が半田付けされる半導体用リードフレームを、酸素濃度10ppm以下の無酸素銅に銀を0.5重量%以下添加した銀添加銅合金で形成する。これにより、半導体用リードフレームは、半田付けに対して耐熱性を有し、かつ高音質特性を有する。
Claim (excerpt)：
半導体素子や集積回路が半田付けされる半導体用リードフレームにおいて、酸素濃度10ppm以下の無酸素銅に銀を0.5重量%以下添加した銀添加銅合金で形成したことを特徴とする半導体用リードフレーム。
IPC (3)：
H01L 23/48
, C22C 9/00
, H01L 23/50
H01L 23/48 V
, C22C 9/00
, H01L 23/50 V
