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J-GLOBAL ID：200903002740735231

縦方向バイアス層を有する磁気抵抗性読出しトランスジューサ

Inventor： マオ-ミン・チェン ,  ロバート・エドワード・フォンタナ ,  モハマド・トウフィック・クラウンビ ,  ケネス・チン-ヤン・クン ,  ジェームズ・サイ-タン・リー ,  ジェイ-シュリイ・ジェリイ・ロ ,  チン・ワ・ツァン ,  ポ-カン・ワン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994157268
Publication number (International publication number)：1995057223
Application date： Jul. 08, 1994
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 MR層と磁気バイアス層間の接合部の磁気的不安定性を最小化するMR読出しトランスジューサを提供する。【構成】 磁気抵抗性(MR)読出しトランスジューサ30が中央活性領域33により分離される受動端部領域を有する。MR層32は実質的に中央活性領域33上だけに形成され、磁気バイアス層が各受動端部領域に形成される。各磁気バイアス層は強磁性材料層79、及び強磁性材料層79をオーバレイして接触し、交換結合磁気バイアス場を提供する反強磁性材料層を含む。各磁気バイアス層は、MR層32との磁気的及び電気的連続性を有する隣接接合39を形成し、トランスジューサ内に縦方向の磁気バイアス場を生成する。

Claim (excerpt)：

中央活性領域による分離される端部領域を有する磁気抵抗性読出しトランスジューサを製造する方法であって、上記トランスジューサの少なくとも中央活性領域上に強磁性材料層を付着する工程と、上記トランスジューサの上記中央活性領域を覆うステンシルを形成する工程と、上記ステンシルにより覆われない上記磁気抵抗材料層部分をエッチングにより取り除き、上記トランスジューサの上記中央活性領域上に広がる磁気抵抗素子を形成する工程と、上記ステンシルにより覆われない上記トランスジューサの領域上に強磁性材料層を付着する工程と、上記ステンシルにより覆われない上記トランスジューサの領域上に反強磁性材料層を付着する工程であって、上記反強磁性材料層が上記強磁性材料層をオーバレイして接触し、上記反強磁性材料層及び上記強磁性材料層が上記トランスジューサの上記端部領域上に広がる交換結合バイアス層を形成し、各上記端部領域の上記交換結合バイアス層が上記磁気抵抗素子の一方の端部との隣接接合を形成し、上記交換結合バイアス層が上記トランスジューサ内に縦方向磁気バイアス場を生成する上記工程と、を含む製造方法。