SGOI基板の製造方法およびひずみSOI基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003201038
Publication number (International publication number)：2005044892
Application date： Jul. 24, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：

【課題】十分に高いGe組成を有するSiGe層を含み、転位密度の低いひずみSOI基板を製造できる方法を提供する。【解決手段】基板(1)上に、絶縁膜(2)、Si結晶層(3)、ひずみSiGe結晶層(4)が積層された積層構造基板を酸化雰囲気中で熱処理し、表面に酸化膜(6)を形成するとともにひずみSiGe結晶層(4)およびSi結晶層(3)の組成を均一化して最初のSiGe結晶層よりもGe組成を増大させた格子緩和SiGe結晶層(7)を形成する工程と、表面に形成された酸化膜(6)を除去し、露出した格子緩和SiGe結晶層(7)を薄膜化する工程と、薄膜化した格子緩和SiGe結晶層(7)上にひずみSi結晶層(9)をエピタキシャル成長する工程とを含むことを特徴とするひずみSOI基板の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、絶縁膜、Si結晶層、ひずみSiGe結晶層が積層された積層構造基板を酸化雰囲気中で熱処理し、表面に酸化膜を形成するとともに前記ひずみSiGe結晶層およびSi結晶層の組成を均一化して最初のSiGe結晶層よりもGe組成を増大させた格子緩和SiGe結晶層を形成する工程と、表面に形成された酸化膜を除去し、露出した格子緩和SiGe結晶層を薄膜化する工程とを含むことを特徴とするSGOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/762

FI (3)：

H01L27/12 B , H01L21/20 , H01L21/76 D

F-Term (23)：

5F032AA03 , 5F032AA06 , 5F032CA17 , 5F032DA12 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA60 , 5F032DA71 , 5F052AA11 , 5F052DA03 , 5F052GC03 , 5F052HA01 , 5F052HA03 , 5F052HA06 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F052KB01 , 5F052KB04 , 5F052KB05 , 5F052KB09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

積層半導体基板及びその製造方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-096412 Applicant：富士通株式会社
絶縁体上にひずみ層を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-116473 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-237751 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Dislocation-free formation of relaxed SiGe-on-insulator layers

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