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J-GLOBAL ID：200903002763573735

半導体シリコンウエーハの洗浄方法

Inventor： 森田 悦郎 ,  桜井 真理 ,  奥田 仁 ,  島貫 康
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 千葉 博史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991085935
Publication number (International publication number)：1993109681
Application date： Mar. 27, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体シリコンウェーハの製造において、洗浄工程における金属不純物を効果的に除去しかつ廃液処理の容易な洗浄方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハ表面に吸着されている金属不純物濃度を5×1010(at/cm2)以下に減少させた後に、酸ないしアルカリを含有しない過酸化水素水で該ウェーハを洗浄する。【効果】シリコンウェーハ表面に吸着されている金属不純物濃度が5×1010(at/cm2)以下であれば、塩酸、硫酸、硝酸などを用いなくても過酸化水素単独でこれら金属不純物を溶存ないし酸化させ、更にシリコンウェーハ表面に薄い酸化被膜を形成させて銅などのイオン化傾向の小さな金属の吸着を防止しながらこれら金属不純物を洗浄除去することができる。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハ表面に吸着されている金属不純物濃度を5×1010(at/cm2)以下に減少させた後に、酸ないしアルカリを含有しない過酸化水素水で上記ウェーハを洗浄することを特徴とする半導体シリコンウェーハの洗浄方法。