半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000360707
Publication number (International publication number)：2002164516
Application date： Nov. 22, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、半導体容量記憶装置の、特に五酸化タンタルニオブ誘電体膜の構造とその形成方法に関する。純五酸化タンタルの比誘電率は形成条件によっては数倍の範囲で増大するが、その再現性と安定性に問題があった。【解決手段】層間絶縁膜上に開口した深孔の内側に下部電極としてRuもしくはPt膜を形成し素子間分離した後、五酸化タンタルと五酸化ニオブの固溶体からなる厚さ10nm以下の誘電体膜を形成する(図1)。この誘電体膜は結晶構造が六方晶で、比誘電率は五酸化ニオブ量の増大とともに増大し、最大で100を超える。また、550°Cから700°Cの熱処理で安定に結晶化する。【効果】高い比誘電率は、大容量高集積の半導体容量記憶装置におけるキャパシタ構造を簡略化し、信頼性を向上させると同時に製造コストを低減することができる。

Claim (excerpt)：

キャパシタを有する半導体装置において、上記キャパシタは、下部電極及び上部電極と該各電極間に設けられた誘電体膜とを有し、上記誘電体膜が、五酸化タンタルと五酸化ニオブの固溶体からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (4)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

F-Term (30)：

4K030AA11 , 4K030BA13 , 4K030BA17 , 4K030BA42 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA15 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BJ06 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD62 , 5F083GA09 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-136361
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-247331 Applicant：株式会社東芝
半導体素子の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-351720 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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