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J-GLOBAL ID：200903002771529184

両面研磨方法

Inventor： 池田 正章 ,  吉村 一朗
Applicant, Patent owner： エム・イー・エム・シー株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999244908
Publication number (International publication number)：2001068435
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 研磨用部材とウェーハとの間の異常摩擦等に起因して発生するプラスチック屑に起因すると考えられているスクラッチの発生をできるだけ押さえながらシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハ、ガラス製ウェーハなどの各種ウェーハの両面研磨方法の提供。【解決手段】 少なくともプラスチック屑の発生に多い研磨荷重の負荷、研磨用定盤および研磨用キャリアの回転のランプアップ時と、ウェーハに過重な荷重のかかる期間である表面研磨終了作業として行われる減圧、減速時に期間の何れか一方、好ましくは両期間において、供給する研磨液のpHを10未満としたものを供給することにより上記の課題を達成。

Claim (excerpt)：

ウェーハの両面研磨時に供給する研磨液のpHを10未満とした研磨液を供給する工程を少なくとも一回含むことを特徴とするウェーハの両面研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (3)：

H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 622 A ,  B24B 37/00 H

F-Term (5)：

3C058BA02 ,  3C058BA04 ,  3C058BA05 ,  3C058CB02 ,  3C058DA17