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J-GLOBAL ID：200903002773995930

半導体ステム及び光半導体モジュール

Inventor： 田遠 伸好
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997299753
Publication number (International publication number)：1999135690
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 放熱特性に優れ、ダイボンド時間の短縮やサブマウントの省略が可能であって、従来よりも低価格な半導体ステム、及びこの半導体ステムを使用する光出力の高い光半導体モジュールを提供する。【解決手段】 半導体ステムは表面に金のメタライズ層を設けた熱伝導率が100W/mK以上のセラミックス板11と、セラミックス板11を貫通して固定された金属リード5とを備え、平板部12aや突起部14aを貫通して導電性のビアを設けることができる。この半導体ステムにLD素子などを搭載し、更にはキャップを接合して光半導体モジュールとする。

Claim (excerpt)：

表面の一部又は全部に金のメタライズ層を設けた熱伝導率が100W/mK以上のセラミックス板と、セラミックス板の少なくとも一箇所に該セラミックス板を貫通して固定された金属リードとを備えることを特徴とする半導体ステム。