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J-GLOBAL ID：200903002774091538

有機トランジスタ

Inventor：
中塚 正勝

About 中塚 正勝


Applicant, Patent owner：
三井化学株式会社

About 三井化学株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007182762
Publication number (International publication number)：2009021390
Application date： Jul. 12, 2007
Publication date： Jan. 29, 2009
Summary：
【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。(式中、X1〜X6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ar1およびAr2はそれぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表し、mおよびnはそれぞれ独立に、0または1を表す)【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (3)：
H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A
F-Term (42)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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