Pat

J-GLOBAL ID：200903002776758939

発光ダイオード

Inventor： 久光 守
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 中井 宏行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993008996
Publication number (International publication number)：1994224468
Application date： Jan. 22, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電流に対して光出力の飽和が起きにくく、発光部の中心部も十分光って、光ファイバーとの結合効率が良い発光ダイオードを提供する。【構成】 半導体積層基板内に形成されたp,n型の2つのクラッド層53,51で活性層52を挟んだダブルヘテロ構造を持ち、エピタキシャル層側から光を取り出す発光ダイオード1において、発光部11の縁の形状11′が、部分的に中心に向かって突出した構造となっている。

Claim (excerpt)：

半導体積層基板内に形成されたp,n型の2つのクラッド層で活性層を挟んだダブルヘテロ構造を持ち、エピタキシャル層側から光を取り出す発光ダイオードにおいて、発光部の縁の形状が、部分的に中心に向かって突出したことを特徴とする発光ダイオード。