透明導電性積層体及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：最上正太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242663
Publication number (International publication number)：2000071374
Application date： Aug. 28, 1998
Publication date： Mar. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】安価でかつ耐環境性に優れたエレクトロルミネッセンス用透明電極に適した透明導電性積層体及びその製造方法の提供。【解決手段】厚さ10〜250μmの透明高分子基体(A)の片面に酸化インジウムを主成分とする厚さ10〜100nmの透明導電膜層(B)を形成し、次いで、透明導電膜層(B)の表面にチタンを主成分とする厚さ1〜20nmの金属薄膜層(C)を形成する透明導電性積層体の製造方法であって、金属薄膜層(C)を形成するに際し、反応ガス中の水素濃度を5〜50vol%に制御する透明導電性積層体の製造方法、及び該方法によって製造された表面抵抗率が1000Ω/□以下、可視光線透過率が70%以上である透明導電性積層体。

Claim (excerpt)：

厚さ10〜250μmの透明高分子基体(A)の片面に酸化インジウムを主成分とする厚さ10〜100nmの透明導電膜層(B)を形成し、次いで、透明導電膜層(B)の表面にチタンを主成分とする厚さ1〜20nmの金属薄膜層(C)を形成する透明導電性積層体の製造方法であって、金属薄膜層(C)を形成する際の反応ガスとして、水素を5〜50vol%含む不活性ガスを用いることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。

IPC (7)：

B32B 7/02 104 , B32B 9/00 , B32B 15/04 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , H01B 5/14 , H01B 13/00 503

FI (7)：

B32B 7/02 104 , B32B 9/00 , B32B 15/04 Z , C23C 14/08 D , C23C 14/34 M , H01B 5/14 A , H01B 13/00 503 B

F-Term (37)：

4F100AA17B , 4F100AA28 , 4F100AB12C , 4F100AB31C , 4F100AK01A , 4F100AK42 , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100EH66C , 4F100EJ60 , 4F100GB48 , 4F100JG01B , 4F100JG04 , 4F100JL09 , 4F100JN01 , 4F100JN01A , 4F100JN01B , 4F100JN28 , 4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029BA17 , 4K029BA45 , 4K029BB02 , 4K029BC09 , 4K029EA01 , 4K029EA05 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FB02 , 5G307FC02 , 5G307FC09 , 5G307FC10 , 5G323BA01 , 5G323BA02 , 5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平2-227992
特開昭56-156760
透明導電性積層体及びそれを用いたエレクトロルミネッセンス発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-335515 Applicant：三井東圧化学株式会社

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