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J-GLOBAL ID:200903002793595288

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995060700
Publication number (International publication number):1996264646
Application date: Mar. 20, 1995
Publication date: Oct. 11, 1996
Summary:
【要約】【目的】 基板リーク電流の増大がなくゲート・ドレイン間容量を低減させる。【構成】 半絶縁性GaAs基板1に形成されているn+ 型低抵抗層3の外側に第一層配線8が設置されている。この第一層配線8はn+ 型低抵抗層3に対して基板面の垂直方向に対して重なりが生じないようにして配設されている。さらに通常ではn+ 型低抵抗層3上とほぼ一致する程度の大きさを有しているドレイン電極5が外側方向に向かって延伸され、この延伸部の先端で第一配線層8と接触される構造となっている。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上にチャネル領域および前記チャネル領域に接続された前記チャネル領域よりも不純物濃度の高い半導体層が埋め込まれ、前記半導体層上に前記絶縁性基板上に延在する金属膜が形成され、前記金属膜の延在部に接続して配線が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/768 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (3):
H01L 21/90 D ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/80 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭63-178556
  • 特開昭58-053845
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-152373   Applicant:セイコーエプソン株式会社
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