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J-GLOBAL ID:200903002797273633

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992267067
Publication number (International publication number):1994120464
Application date: Oct. 06, 1992
Publication date: Apr. 28, 1994
Summary:
【要約】【目的】 簡易な工法により作製する半導体装置の、電気的接続等の信頼性を高め、品質を向上する。【構成】 Auバンプ電極4を形成したを設けたイメージセンサ素子1と、スクリーン印刷プロセスにて導体回路層7とITO膜の基板電極3を形成した透光性を有するガラス基板8において、所定のAuバンプ電極4と基板電極6の位置が一致するよう変性アクリレート系の紫外線硬化型の絶縁樹脂5を介して設置し、加圧を施して圧接した後、ガラス基板1側より紫外線光を照射して絶縁樹脂5を硬化することで実装する製造方法により作製したイメージセンサ。【効果】 ITO膜の基板電極により、電極の裏側においても絶縁樹脂が硬化する。また、Auバンプ電極を設けることで、全ての基板電極において、十分な圧接状態が得られる。
Claim (excerpt):
Al電極パッド部に容易に変形可能な軟らかい金属にて形成した突起電極を設けた半導体素子と、主面上に所望の導体回路層を形成した透光性を有するガラス基板において、前記ガラス基板上の導体回路層中には、前記半導体素子との電気的接続を行うための透光性を有する材料にて形成した基板電極が設けてある。この様な構成において、前記半導体素子を前記ガラス基板の主面上に、所定の前記半導体素子の突起電極と前記ガラス基板の基板電極の位置が一致するよう変性アクリレート系の紫外線硬化型の絶縁樹脂を介して設置し、加圧を施して突起電極と基板電極間に前記絶縁樹脂が無くなるまで圧接した後、ガラス基板側より紫外線光を照射して絶縁樹脂を硬化することで、半導体素子をガラス基板上に実装する製造方法により作製したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 27/14 ,  H01L 21/603 ,  H01L 31/02
FI (2):
H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 B

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