薄膜トランジスターの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204375
Publication number (International publication number)：1994163898
Application date： Aug. 19, 1993
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、以下に記載の構成をとることにより従来と比較して優良な特性を有する薄膜トランジスターを作成するための方法を提供することにある。【構成】薄膜トランジスターは、アモルファスシリコンを堆積させ、ゲート構造を形成し、次いで、高圧酸化を用いて、層化構造を有する高性能ゲート酸化物を形成することにより作成される。

Claim (excerpt)：

絶縁基板(1)上にシリコン(3)を堆積させ;当該シリコン(3)の少なくとも一部に接するゲート構造(9)を形成し、当該ゲート構造(9)が、当該シリコン(3)に接する酸化物層(11)及び、当該酸化物(11)により当該シリコン(3)から分離した伝導領域(13)を有し;当該シリコン(3)を再結晶化させるためにアニーリングし;及び当該ゲート構造(9)と当該シリコン(3)の間に、高圧酸化により追加の酸化物(11)を形成する工程よりなる薄膜トランジスターの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

特開平3-062526
特開平2-211637
特開平2-252246

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