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J-GLOBAL ID:200903002837903791

分子線エピタキシー用セル

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 早瀬 憲一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992151350
Publication number (International publication number):1993319981
Application date: May. 18, 1992
Publication date: Dec. 03, 1993
Summary:
【要約】【目的】 るつぼ内に収容された元素が一様に温められ、成長中において特性の良い成長層を再現性良く得ることができる分子線エピタキシー用セルを得る。【構成】 るつぼ2内に外径の小さいるつぼ3を入れてるつぼを2重構造とし、蒸発すべき元素(Ga)5を中央部に入れ、2重構造となったるつぼ間にGa融液4を満たし、外側よりヒータ6で加熱蒸発する構造とする。【効果】 結晶欠陥が少なく、良好な結晶性を有する結晶層を再現性良く成長することができる。
Claim (excerpt):
化合物半導体を形成するための蒸発源となる元素をるつぼ内部に収容し、該元素を加熱によって蒸発させるための分子線エピタキシー用セルにおいて、外径の異なる2つのるつぼを、それらの間に所定の空間が確保されるように組合せ、上記各るつぼ間の空間に融液を満たしたことを特徴とする分子線エピタキシー用セル。
IPC (2):
C30B 23/08 ,  H01L 21/203

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