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J-GLOBAL ID：200903002838402109

相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料

Inventor： クズバティユ、ウォルドディミール ,  オブシンスキー、スタンフォード アール. ,  ストランド、デイヴィッド エイ. ,  クラースィ、パトリック
Applicant, Patent owner： エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998519794
Publication number (International publication number)：2001502848
Application date： Oct. 27, 1997
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】活性な相変化性メモリ材料と不活性な誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料である。相変化性材料は、Te、Se、Ge、Sb、Bi、Pb、Sn、As、S、Si、P、O並びにこれらの混合物もしくは合金からなるグループから選択された1つ以上の元素を含む。単一セルメモリ素子は、前述の複合メモリ材料と1対の離間配置されたコンタクトとから成る。

Claim (excerpt)：

活性な相変化性メモリ材料と不活性な誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料。

IPC (2)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-238882
  
• 配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069199   Applicant：ソニー株式会社
• 特表平6-509909