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J-GLOBAL ID：200903002840741301
磁気抵抗センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992187788
Publication number (International publication number)：1993266436
Application date： Jul. 15, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 低飽和磁界における抵抗変化を大きくする。【構成】 磁気抵抗(MR)センサ20は、第3の薄膜非磁性層24によって隔てられる第1の薄膜強磁性層22及び第2の薄膜強磁性層26を含む三重層を少なくとも1つ有する層状構造体を含む。単分子層乃至その数倍の厚さの第4の薄膜材料層23が、第1層22と第3層24との界面から所定距離xの位置で第1の強磁性層22内に配置される。同様に第5の薄膜材料層25を第2の強磁性層26内に配置してもよい。MRセンサを通って電流は発生し、1つ又は両方の強磁性層における磁化の回転によって生じるMRセンサの比抵抗変動は、感知中の磁界の関数として感知される。
Claim (excerpt)：
第1の強磁性材料薄膜が第2の非強磁性金属材料薄膜と界面で接触している二重層を少なくとも2つ有する層状構造体を備えた磁気抵抗センサであって、単分子層乃至その数倍の厚さを有し、前記第1の薄膜層と前記第2の薄膜層との界面から所定距離xの位置で前記第1の強磁性材料薄膜内に配置された第3の材料薄膜と、前記磁気抵抗センサを流れる電流を発生するための手段と、前記第1の層における磁化の回転による前記磁気抵抗センサの抵抗変化によって生じる、前記磁気抵抗センサにかかる電圧の変動を、感知中の磁界の関数として感知するための手段と、を備えた磁気抵抗センサ。
Patent cited by the Patent：
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