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J-GLOBAL ID：200903002842934158

光・電子機能材料およびその薄膜の製法

Inventor： 浜野 浩司 ,  蔵田 哲之 ,  肥塚 裕至 ,  渕上 宏幸
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993061839
Publication number (International publication number)：1994273811
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 新規な有機n型FETやより優れたp型FETなどの電子デバイス、電界効果型光変調素子などの優れた光デバイスを得る。【構成】 Cn化合物と、Cnとは異なる電子供与性のπ共役系化合物から構成される光・電子機能材料。この材料は、たとえばα-チェニレン6量体の膜22およびC60の膜23として、基板20上の絶縁膜21ならびにソース電極24およびドレイン電極25の上に積層されてn型FETを提供する。

Claim (excerpt)：

一般式Cn(nは60以上の整数)で示される少なくとも1種の化合物と、前記Cnとは異なる少なくとも1種のπ共役系化合物とから構成される光・電子機能材料。

IPC (3)：

G02F 1/35 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特表平6-509540
  
• 有機非線形光学薄膜およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-301933   Applicant：日本電信電話株式会社
• 光リミッタのためのバックミンスターフラーレン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-287832   Applicant：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
• 非線形光学材料及び素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-249487   Applicant：株式会社日立製作所
• 特表平7-503080
  
• 共役重合体と受容体のヘテロ接合体;ダイオード、フォトダイオード及び光電池
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-506524   Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
• 電子写真感光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-261308   Applicant：キヤノン株式会社